8-812-989-04-49
8-812-740-66-02
info@vactron.org

Плазменные эмиссионные системы

Плазменные эмиссионные системыСпециалисты компании Вактрон осуществляют разработку плазменных эмиссионных систем на базе тлеющих и дуговых разрядов. Компания проводит инжиниринг, изготовление, поставку и ввод в эксплуатацию современных отечественных плазменных ускорителей, магнетронов, ионно-плазменных систем и плазменных источников ионных, нейтральных и электронных пучков. Системы используются для модификации конструкционных материалов и создания новых материалов  со специальными свойствами.

Модуль для очистки и активации поверхности потоком быстрых частиц

Модуль предназначен для очистки и активации поверхности перед нанесением покрытий любого функционального назначения. Очистка поверхности производится потоком быстрых нейтральных частиц, что позволяет обрабатывать как проводящие, так и диэлектрические поверхности. Конструкция модуля обеспечивает отсутствие в пучке частиц ионов с энергией более 10 эВ, что позволяет ликвидировать возможность пробоя диэлектрических пленок даже малой толщины.

Модуль имеет внутрикамерное исполнение и может быть размещен в любом удобном месте вакуумной камеры. Модуль не требует водяного охлаждения, что значительно упрощает его эксплуатацию. Помимо этого, конструкция модуля обеспечивает экранирование обрабатываемой поверхности от излучения плазмы.

Для обеспечения работы модуля достаточно одного источника электрического питания постоянного тока с максимальным выходным напряжением до 2 кВ. Благодаря использованию разрядной системы с полым электродом под плавающим потенциалом, обеспечивается высокая токовая эффективность модуля и экономичное использование подводимой в разряд мощности.

Технические характеристики модуля

- исполнение модуля:

внутрикамерное

- используемый рабочий газ:

инертные и активные газы

- наличие источников магнитного поля:

отсутствуют

- наличие накаливаемых элементов:

отсутствуют

- охлаждение модуля:

кондуктивно-радиационное

- средняя энергия частиц:

400…2000 эВ

- максимальная плотность потока быстрых нейтралов, см-2·с-1:

1015

- рабочее давление:

4…100 Па

- сечение выходного пучка:

круглое

- диаметр выходного пучка, мм:

до 110

- диаметр источника, мм:

180

- высота источника, мм:

221

- максимальный разрядный ток, мА:

100

Разработка плазменного источника
Модуль предназначен для очистки и активации поверхности перед нанесением покрытий любого функционального назначения. Модуль для очистки и активации поверхности потоком быстрых частиц.
Поставка и введение в эксплуатацию на предприятии
источник БН Феррит-Домен Модуль для очистки и активации поверхности потоком быстрых частиц

Ответы на вопросы заказчиков

Активация поверхности при склейке деталей? Вместо банального обезжиривания! Материалы склейки: Сталь и керамика. Клей - К - 400. Будет ли иметь преимущества? Что по экономике?

Источник позволит обрабатывать, как сталь, так и керамику. При этом качество очистки поверхности будет выше, чем при обезжиривании, поскольку помимо жировых и прочих органических загрязнений будет удален поверхностный слой окислов, а также прочие стойкие загрязнения. Кроме того, обработка потоком частиц приведет к тому, что поверхности как стали, так и керамики станут матовыми, что также благотворно скажется на их склеивании и стойкости склеиваемого соединения.
 
Однако обработка с помощью источника нейтральных частиц возможна только в вакуумном объеме. В связи с этим, для подготовки к склеиванию потребуется вакуумная установка, в которую будет установлен источник. Время обработки составит несколько минут, не считая времени, необходимого на загрузку деталей в вакуумную камеру. Экономическая сторона вопроса будет определяться тем, какое количество деталей необходимо склеивать и каковы требования к качеству склейки, которое существенно повысится в случае использования источника вместо обезжиривания поверхности химическими методами.
 
Здравствуйте!
Было бы очень интересно узнать по больше о данной системе очистки.
 
Источник быстрых нейтральных частиц является плазменной эмиссионной системой на основе тлеющего разряда низкого давления, очистка и активация поверхности обеспечивается путем ее бомбардировки широким пучком высокоэнергичных нейтральных частиц рабочего газа. В качестве рабочего газа может быть использован как инертные, так и активные газы, что позволяет повысить скорость обработки.
 
Основной принцип работы состоит в генерации в плазме газового разряда ионов, их экстракции и ускорения в катодном падении потенциала. Нейтрализация частиц осуществляется при отражении от поверхности катода, представляющего собой набор параллельных пластин, резонансная перезарядка на молекулах нейтрального газа является второстепенным механизмом нейтрализации. За счет того, что нейтрализация частиц происходит на дне потенциальной ямы около катода, ионы, не прошедшие нейтрализацию, не могут попасть в выходной пучок, обладая энергией. Это обеспечивает, без применения дополнительных средств отклонения ионной составляющей, отсутствие в потоке частиц ионов с энергией выше 6-7 эВ, в то время как средняя энергия нейтральных частиц зависит от режима работы и находится в пределах от нескольких сотен эВ до нескольких кэВ. Благодаря этому, система очистки позволяет производить обработку диэлектрических поверхностей без внесения дополнительных дефектов, вызванных воздействием высокоэнергичных ионов.
 
Система очистки имеет внутрикамерное исполнение, что позволяет расположить ее в любом месте подходящем вакуумной камеры. Система не требует принудительного охлаждения, для ее работы необходим только один источник питания постоянного тока с рабочим напряжением до 3 кВ и током до 100 мА. Источник быстрых нейтральных частиц генерирует пучок частиц круглого сечения с диаметром до 110 мм, что позволяет производить одновременную обработку деталей достаточно большой площади. Габариты источника - максимальный диаметр 180 мм, высота 220 мм.
 
Главными характерными особенностями системы очистки являются: простота эксплуатации, отсутствие принудительного охлаждения, близкая к 100 % токовая эффективность (отношение эквивалентного тока пучка к разрядному току), необходимость только одного источника постоянного тока.
 
Интересует возможность удалять с поверхности микросхем органическое и неорганические защитные покрытия толщиной миллиметра и до миллиметра.
 
Такая возможность присутствует, для этого наиболее подойдет технология лучевого реактивного травления, то есть обработки поверхности источником быстрых нейтральных частиц при использовании в качестве рабочего газа смеси аргона и химически активного газа. Выбор рабочего газа будет определяться материалом, который необходимо стравить и материалом, который необходимо оставить, для обеспечения селективности очистки.

При Вашей задаче существенную важность будет представлять вопрос скорости обработки, поскольку толщина защитного слоя очень велика. Сказать точное время, необходимое для очистки, сейчас нельзя, оно будет зависеть от защитного покрытия и используемого рабочего газа. Приблизительно для покрытия в несколько сотен микрометров это время будет составлять от часа до нескольких часов, снятие покрытий микронной толщины не будет представлять существенных трудностей. Это компенсируется возможностью одновременной обработки большого количества микросхем за счет большой площади пучка частиц (в базовой модели диаметр пучка 110 мм, возможно создание источника больших габаритов).

Стоимость такой системы очистки, учитывая необходимые дополнительные устройства будет в разы ниже стоимости ICP системы очистки. Это в первую очередь определяется тем, что источник нейтральных частиц работает на постоянном токе, нет необходимости в системе согласования и дорогостоящем ВЧ-генераторе. В случае, если низкое рабочее давление для Вас не играет существенной роли, для работы источника Вам потребуется один блок питания с напряжением до 500-600 Вольт и с током до 100 мА.

Уточните рабочий вакуум в камере при ассестировании вашим источником при максимальных токах напряжение не столь существенно.

Минимальный рабочий вакуум источника составляет около 1 Па при максимальном токе, напряжение при этом будет около 3 кВ. Максимальный ток при непрерывной работе 80 мА, допускается кратковременное включение при превышении этого тока (при длительной работе при большем токе случится перегрев). При этом эквивалентный ток пучка частиц составит около 80-90% разрядного тока, источник обладает большой токовой эффективностью.
 
Таким образом, в настоящее время возможно использование источника для ассистирования нанесения покрытия с помощью МРС при высоком, но допустимом для МРС давлении. Нами разработаны изменения в конструкцию, которые позволят на порядок и даже более снизить рабочее давление (однако, в этом случае потребуется принудительное водяное охлаждение). Если вы заинтересованы в такой системе, мы готовы рассмотреть вопросы ее разработки.

Свяжитесь со специалистами компании Вактрон, и мы проведем разработку и поставку плазменного эмиссионного оборудования для вашего производства или лаборатории.

Запрос на поставку оборудования / Вопрос по представленному оборудованию
  1. Имя
    Пожалуйста, введите Ваше имя.
  2. Сообщение
    Пожалуйста, введите Ваше сообщение.
  3. E-mail*
    Пожалуста, введите адрес Вашей электронной почты.
  4. Телефон для связи
    Пожалуйста, введите номер Вашего телефона.
  5. Организация*
    Введите название организации
  6. Подтверждение*
    Поставьте, пожалуйста, галочку в поле "Подтверждение".

Дополнительная профессиональная образовательная программа «Основы течеискания и вакуумной техники» 25 – 27 сентября 2018

Основы течеискания и вакуумной техники»Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» имени В. И. Ульянова и ООО «ВАКТРОН» приглашают сотрудников предприятий принять участие в курсе повышения квалификации «Основы течеискания и вакуумной техники» 25 – 27 сентября 2018 года.

Базовые темы обучения:

  • Контроль герметичности в авиационной и космической отрасли
  • Обслуживание и ремонт течеискателей ULVAC HELIOT и ТИ1-50, ТИ1-30, ТИ1-22
  • Аттестация сотрудников и лаборатории неразрушающего контроля
  • Герметичность объектов военного назначения
  • Сервис пластинчато-роторных, бустерных, спиральных, золотниковых и плунжерных насосов. Выбор вакуумного масла
  • Выбор вакуумных насосов и течеискателей для металлургии, научных исследований и коммерческих задач
  • Контроль герметичности компрессорного и холодильного оборудования, приборов СВЧ, микроэлектронных изделий
  • Стенды для проверки топливных шлангов, колесных дисков, топливных баков, компрессоров
  • Поверка и калибровка в сфере контроля герметичности
  • Локализация утечек теплообменников, водонагревателей, реле и литиевых батарей

После прохождения итогового тестирования специалист получает методические материалы, видеозапись занятий и удостоверение о повышении квалификации государственного образца по университетской программе дополнительного профессионального образования. Занятия будут проходить в Санкт-Петербурге в аудиториях университета СПбГЭТУ «ЛЭТИ». Для направления на обучение необходима предварительная регистрация. Регистрация участников: 8 (812) 740-66-02, info@vactron.org

Скачать приглашение и новую программу курса (DOC)
Политика конфиденциальности

8-812-989-04-49
8-812-740-66-02
info@vactron.org